تسريبات: المعالجات المركزية إنتل Arrow Lake-S ستأتي مع 24 نواة

أحدث التسريبات التي نشرها حساب YuuKi_AnS، المشهور بصدق تسريباته حول وثائق إنتل، تؤكد أن المعالجات المركزية المكتبية إنتل Arrow Lake-S لن تزيد عدد النويات مقارنةً بمعالجات Raptor Lake Refresh من الجيل الرابع عشر.
الوثائق المسربة تؤكد أيضًا أن هناك مجموعة جيدة من المعلومات حول منصة إنتل القادمة، لكن يجب الأخذ بالحسبان أن هذه الوثائق قد تكون مزيفة وقد تكون صحيحة في الوقت نفسه.
أولى التسريبات من وثائق إنتل تؤكد أن المعالجات المركزية Arrow Lake-S المخصصة للحواسيب المكتبية ستكون قادمة مع ثلاثة تصميمات لرقاقة السيليكون وهي: التصميم الأول يحتوي على 8 نويات (P) و 16 نواة (E)، والتصميم الثاني يحتوي 6 نويات (P) و 16 نواة (E)، والتصميم الثالث يحتوي على 6 نويات (P) و 6 نويات (E).
كذلك تشير الوثائق إلى أن تقنية Hyperthreading لن تكون متوفرة مع نويات (P)، وهي تقنية تسمح بأن يكون لكل نواة خيطان مزدوجان، ودون هذه التقنية سيكون هناك خيط واحد لكل نواة.
وتدعم هذه المعالجات ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 بتردد يصل إلى 6400 ميجاهرتز مقارنة بتردد يصل إلى 5600 ميجاهرتز مع معالجات Raptor Lake Refresh.

الوثائق تؤكد أيضًا أن إنتل لديها منصة جديدة لتشغيل معالجات Arrow Lake-S المكتبية، إذ تعتمد المنصة على سلسلة شرائح إنتل 800، وتعتمد كذلك على المقبس الجديد LGA 1851.

تسريبات: المعالجات المركزية إنتل Arrow Lake-S ستأتي مع 24 نواة

وتُشير الوثائق إلى أن وحدات المعالجة المركزية Arrow Lake-S تدعم معيار Thunderbolt 4 و USB4 مع منافذ DisplayPort 2.0 و HDMI 2.1، وتدعم شبكة الاتصال اللاسلكي واي فاي 7. كما ستدعم هذه المعالجات ما يصل إلى 24 مسار PCIe، منها 16 مسار PCIe 5.0 لوحدة معالجة الرسوم، و 8 مسارات مخصصة لأقراص التخزين NVMe SSD، أربع مسارات منها PCIe 5.0 والأربع الأخرى PCIe 4.0.

في حين سيكون لشريحة Z890 المخصصة للوحات الأم قرابة 24 مسار PCIe 4.0، وما يصل إلى 10 منافذ USB 3.2 من الجيل الثاني بسرعة قدرها 10 جيجابت/ الثانية.

من ناحية دعم ذاكرة الوصول العشوائي سيكون محدودًا مع ذاكرة DDR5 فقط، دون دعم ذاكرة DDR4، بعكس شريحة إنتل Z790 التي تدعم ذاكرة DDR5 و DDR4.

اللافت أن هذه الوثائق تبدو لرقاقة السيليكون ما تزال في مرحلة مبكرة جدًا من مراحل التطوير، مما يعني أن هذه المواصفات قد تتغير مع رقاقات السيليكون الأحدث.

يشاع أن إنتل ستعتمد على دقة تصنيع قدرها 2 نانومتر معتمدة على تقنية 20A التي تَعِد وفقًا لإنتل بتحسين معدل استهلاك الطاقة، وزيادة الأداء، وتعزيز كثافة الترانزستور في قالب رقاقة السيليكون.